碳化硅制粉
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碳化硅 - 维基百科，自由的百科全书
碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。将碳化矽粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化矽颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测 2023年3月29日 碳化硅粉：迄今为止，已经提出了通过将在常温下为液体的硅源(具体地，硅酸乙酯)、在常温下为液体的碳源(具体地，酚醛树脂)、和能够溶解碳源的催化剂(具体地，马来酸)混合来制造高纯度的碳化硅粉体的 碳化硅粉 - 知乎2022年10月31日 碳化硅粉(siliconcarbide，sic)由于具有高强度、高硬度、耐腐蚀、抗高温氧化性、低热膨胀系数等优越特性，常用于制成碳化硅陶瓷广泛应用于冶金、机械、石油、化工、微电子、航空航天、钢铁、汽车 碳化硅粉 - 知乎专栏
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学 - 搜狐
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热 关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展 Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were reviewed,and the new progress of purification process of 高纯SiC微粉制备进展2023年2月22日 sic粉：碳化硅 (sic)半导体又称宽禁带半导体或第三代半导体，与第一代半导体硅 (si)和第二代半导体砷化镓 (gaas)相比，其具有硬度高 (仅次于金刚石)、热导率高 (4.9w/cmk)、热膨胀系数低 (3.1～4.5×10 sic粉 - 知乎2020年11月30日 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成 ...
